FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF50R12RT4HOSA1
DigiKey-Teilenr.	FF50R12RT4HOSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF50R12RT4HOSA1
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 50A 285W MOD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrücke 1200 V 50 A 285 W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	50 A
Leistung - Max.	285 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,15V bei 15V, 50A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	2.8 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	FF50R12