IPP018N10N5XKSA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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Infineon Technologies

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IPP018N10N5XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP018N10N5XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP018N10N5XKSA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 205 A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,83mOhm bei 100A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 270µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 210 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 16000 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 205 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IPP023N10N5XKSA1	Infineon Technologies	245	448-IPP023N10N5XKSA1-ND	Fr. 5.27000	Vom Hersteller empfohlen

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