Name: FP25R12W2T4B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FP25R12W2T4B11BOMA1-ND
Price: 38.06201 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FP25R12W2T4B11BOMA1
DigiKey-Teilenr.	FP25R12W2T4B11BOMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FP25R12W2T4B11BOMA1
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 39A 175W MOD
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Dreiphasiger Umrichter 1200 V 39 A 175 W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Dreiphasiger Umrichter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	39 A
Leistung - Max.	175 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,25V bei 15V, 25A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	1.45 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Ja
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	FP25R12

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