FS50R07W1E3B11ABOMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FS50R07W1E3B11ABOMA1
DigiKey-Teilenr.	FS50R07W1E3B11ABOMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FS50R07W1E3B11ABOMA1
Beschreibung	IGBT MODULE 650V 70A 205W MODULE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Dreiphasiger Umrichter 650 V 70 A 205 W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	EasyPACK™
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Dreiphasiger Umrichter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	70 A
Leistung - Max.	205 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 50A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	50 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	3.1 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Ja
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	FS50R07

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