Name: IDH04G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDH04G65C5XKSA2-ND
Price: 2.10795 CHF
Availability: InStock

Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IDH04G65C5XKSA2
DigiKey-Teilenr.	IDH04G65C5XKSA2-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IDH04G65C5XKSA2
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden	Geschwindigkeit Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Herst. Infineon Technologies	Umkehrerholungszeit (trr) 0 ns
Serie CoolSiC™+	Strom - Sperrleckstrom bei Vr 70 µA @ 650 V
Verpackung Stange	Kapazität bei Vr, F 130pF bei 1V, 1MHz
Status der Komponente Aktiv	Montagetyp Durchkontaktierung
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky	Gehäuse / Hülle TO-220-2
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-2-1
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 4A	Betriebstemperatur - Übergang -55°C bis 175°C
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.7 V @ 4 A	Basis-Produktnummer IDH04G65

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50	Fr. 0.94780	Fr. 47.39
100	Fr. 0.85050	Fr. 85.05
500	Fr. 0.67990	Fr. 339.95
1’000	Fr. 0.62504	Fr. 625.04
2’000	Fr. 0.57892	Fr. 1’157.84
5’000	Fr. 0.52903	Fr. 2’645.15
10’000	Fr. 0.49993	Fr. 4’999.30

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