Name: IDH04G65C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Price: 2.01066 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IDH04G65C6XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IDH04G65C6XKSA1
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung PG-TO220-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IDH04G65C6XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.35 V @ 4 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	14 µA @ 420 V
Kapazität bei Vr, F	205pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-2
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer	IDH04G65

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50	Fr. 0.90780	Fr. 45.39
100	Fr. 0.81470	Fr. 81.47
500	Fr. 0.65150	Fr. 325.75
1’000	Fr. 0.59902	Fr. 599.02
2’000	Fr. 0.55490	Fr. 1’109.80
5’000	Fr. 0.51821	Fr. 2’591.05

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