Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 5.12394 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGLD65R080D2AUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGLD65R080D2AUMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 68W (Tc) Oberflächenmontage PG-LSON-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGLD65R080D2AUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,6V bei 1,8mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (Max.) -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 240 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-LSON-8-2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-LDFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 5,5A