Name: IGLT65R110D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110D2ATMA1TR-ND
Price: 3.97808 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGLT65R110D2ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGLT65R110D2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGLT65R110D2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGLT65R110D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGLT65R110D2ATMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 55W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-16-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGLT65R110D2ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,6V bei 1,3mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2.4 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (Max.) -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 170 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 55W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-16-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 15 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 16-poliges PowerSOP-Modul
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 140mOhm bei 4A