Name: IMCQ120R004M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-IMCQ120R004M2HXUMA1TR-ND
Price: 55.21748 CHF
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

N-Kanal 1200 V 403A (Tc) 1500W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-3

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IMCQ120R004M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMCQ120R004M2HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMCQ120R004M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMCQ120R004M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies Americas Corp.
Hersteller-Teilenummer	IMCQ120R004M2HXUMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 403A 22PWRBSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 403A (Tc) 1500W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,7mOhm bei 185,2A, 18V
Herst. Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 58,3mA
Serie CoolSiC™ G2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 348 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13000 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1500W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 403A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-22-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle 22-poliges PowerBSOP-Modul