Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 25.31702 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 195 A (Tc) 880W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMCQ120R010M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMCQ120R010M2HXTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 195 A (Tc) 880W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMCQ120R010M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10mOhm bei 69A, 18V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 21,7mA
Serie CoolSiC™ G2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 150.1 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6320 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 880W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 195 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-22
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle 22-poliges PowerBSOP-Modul