Name: IMYR140R008M2HXLSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND
Price: 30.99227 CHF
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IMYR140R008M2HXLSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMYR140R008M2HXLSA1
Beschreibung	SIC DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1.4 kV 207A (Tc) 710W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-18
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1.4 kV
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	207A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,5mOhm bei 92,6A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,1V bei 29,1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	203 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6450 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	710W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-18
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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