Name: IMT65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 18.0527 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMT65R010M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMT65R010M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMT65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT65R010M2HXUMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 168 A (Tc) 681W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,1mOhm bei 92,1A, 20V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 18,7mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 113 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4001 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 681W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 168 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN