Name: IMT65R015M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Price: 13.17739 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

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IMT65R015M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMT65R015M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMT65R015M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT65R015M2HXUMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 131 A (Tc) 535W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	131 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13,2mOhm bei 64,2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 13mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2792 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	535W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 12.19000	Fr. 12.19
10	Fr. 8.59400	Fr. 85.94
100	Fr. 7.80220	Fr. 780.22

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
2’000	Fr. 6.37440	Fr. 12’748.80

Standardverpackung des Herstellers

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