
IMT65R050M2HXUMA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IMT65R050M2HXUMA1TR-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMT65R050M2HXUMA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 46mOhm bei 18,2A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,6V bei 3,7mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 22 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +23V, -7V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 790 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 237W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-HSOF-8-2 | |
Gehäuse / Hülle |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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2’000 | Fr. 2.28270 | Fr. 4’565.40 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.28270 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.46760 |