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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R057M1HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 133W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW65R057M1HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 74mOhm bei 16,7A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,7V bei 5mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -2V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 930 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 133W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-3-41 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 11
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 6.35000 | Fr. 6.35 |
| 30 | Fr. 3.69433 | Fr. 110.83 |
| 120 | Fr. 3.11325 | Fr. 373.59 |
| 510 | Fr. 2.94037 | Fr. 1’499.59 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 6.35000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 6.86435 |
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