TO-220AB
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TP65H150G4PS

DigiKey-Teilenr.
1707-TP65H150G4PS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TP65H150G4PS
Beschreibung
GAN FET N-CH 650V TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
598 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
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100Fr. 3.19980Fr. 319.98
500Fr. 2.75000Fr. 1’375.00
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