
IPA60R380C6XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA60R380C6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA60R380C6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 10,6 A (Tc) 31W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA60R380C6XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 320µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 700 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 31W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 380mOhm bei 3,8A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP12N65X2M | IXYS | 0 | IXTP12N65X2M-ND | Fr. 1.82193 | Ähnlich |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 373 | R6011ENX-ND | Fr. 3.36000 | Ähnlich |
| SIHF12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF12N60E-E3-ND | Fr. 2.93000 | Ähnlich |
| SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 197 | 742-SIHF12N60E-GE3-ND | Fr. 2.93000 | Ähnlich |
| STF10NM60ND | STMicroelectronics | 378 | 497-12246-ND | Fr. 2.05000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.09000 | Fr. 2.09 |
| 50 | Fr. 1.02060 | Fr. 51.03 |
| 100 | Fr. 0.91720 | Fr. 91.72 |
| 500 | Fr. 0.73580 | Fr. 367.90 |
| 1’000 | Fr. 0.67749 | Fr. 677.49 |
| 2’000 | Fr. 0.62846 | Fr. 1’256.92 |
| 5’000 | Fr. 0.57543 | Fr. 2’877.15 |
| 10’000 | Fr. 0.55601 | Fr. 5’560.10 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.09000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.25929 |

