SIHF12N60E-E3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
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N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHF12N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHF12N60E-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHF12N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58 nC @ 10 V
Verpackung
Lose im Beutel
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
937 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220 voller Pack
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (30)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOTF15S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-AOTF15S60-NDFr. 0.00000Ähnlich
AOTF15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.334785-1518-5-NDFr. 3.12000Ähnlich
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100Fr. 1.33520Fr. 133.52
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2’000Fr. 0.94166Fr. 1’883.32
5’000Fr. 0.88611Fr. 4’430.55
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:Fr. 3.16733
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