PG-TO220-FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA65R400CEXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPA65R400CEXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA65R400CEXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 15,1 A (Tc) 31W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA65R400CEXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 3,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 320µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
710 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
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50Fr. 0.67180Fr. 33.59
100Fr. 0.60020Fr. 60.02
500Fr. 0.47460Fr. 237.30
1’000Fr. 0.43417Fr. 434.17
2’000Fr. 0.40017Fr. 800.34
5’000Fr. 0.36620Fr. 1’831.00
Standardverpackung des Herstellers
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