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TK5A80E,S4X
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TK5A80E,S4X
TO-220-3 Full Pack

TK14A65W5,S5X

DigiKey-Teilenr.
TK14A65W5S5X-ND
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TK14A65W5,S5X
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 13,7 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK14A65W5,S5X Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
13,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm bei 6,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 690µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 300 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
TK14A65
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