IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPAN50R500CEXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPAN50R500CEXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPAN50R500CEXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 11,1 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPAN50R500CEXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	13V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	500mOhm bei 2,3A, 13V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	433 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	28W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-FP
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	IPAN50

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