Name: IPAW60R180P7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND
Price: 1.95661 CHF
Availability: InStock

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IPAW60R180P7SXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPAW60R180P7SXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPAW60R180P7SXKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	180mOhm bei 5,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 280µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1081 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	26W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220 voller Pack
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	IPAW60

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 1.81000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 1.95661

IPAW60R180P7SXKSA1