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IPI65R190C6XKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPI65R190C6XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPI65R190C6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPI65R190C6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPI65R190C6XKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 190mOhm bei 7,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 730µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 73 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1620 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 151W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO262-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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Schweiz