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PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP057N06N3GXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP057N06N3GXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP057N06N3GXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 80 A (Tc) 115W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
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Herst.
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Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,7mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 58µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6600 pF @ 30 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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