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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

IRF1010EZPBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 1’357
Stückpreis : Fr. 1.84000
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Upgrade

IPP80N06S2H5AKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

AOT2606L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.68182
Datenblatt

Ähnlich

AUIRF3205
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

AUIRF3205Z
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

AUIRF3305
Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 12’137
Stückpreis : Fr. 2.90888
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Ähnlich

FDP060AN08A0
onsemi
Vorrätig: 3’948
Stückpreis : Fr. 3.39000
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Ähnlich

FDP070AN06A0
onsemi
Vorrätig: 804
Stückpreis : Fr. 2.77000
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Ähnlich

HUF75332P3
onsemi
Vorrätig: 354
Stückpreis : Fr. 2.21000
Datenblatt

Ähnlich

HUF75344P3
onsemi
Vorrätig: 536
Stückpreis : Fr. 3.42000
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Ähnlich

HUF75345P3
onsemi
Vorrätig: 4’575
Stückpreis : Fr. 3.06000
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Ähnlich

IPP80N06S207AKSA1
Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 9’500
Stückpreis : Fr. 0.96386
Datenblatt

Ähnlich

IPP80N06S2L-07
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
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Ähnlich

IRF1010EPBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 1’856
Stückpreis : Fr. 1.82000
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N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP80NF55-06

DigiKey-Teilenr.
497-2774-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP80NF55-06
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP80NF55-06 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
STripFET™ II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,5mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP80
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50Fr. 1.07880Fr. 53.94
100Fr. 0.97130Fr. 97.13
500Fr. 0.78300Fr. 391.50
1’000Fr. 0.72245Fr. 722.45
2’000Fr. 0.67156Fr. 1’343.12
5’000Fr. 0.64845Fr. 3’242.25
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.19000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.36739