Ähnlich
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IPP60R099C7XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R099C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R099C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 35 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 22 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R099C7XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 490µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 42 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1819 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 110W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 9,7A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP099N65S3 | onsemi | 453 | FCP099N65S3-ND | Fr. 5.10000 | Ähnlich |
| SIHP30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP30N60E-GE3-ND | Fr. 5.55000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.81000 | Fr. 4.81 |
| 50 | Fr. 2.53400 | Fr. 126.70 |
| 100 | Fr. 2.31360 | Fr. 231.36 |
| 500 | Fr. 1.92796 | Fr. 963.98 |
| 1’000 | Fr. 1.80417 | Fr. 1’804.17 |
| 2’000 | Fr. 1.73055 | Fr. 3’461.10 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.81000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 5.19961 |











