N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP60R125CPXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP60R125CPXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R125CPXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R125CPXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 1,1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2500 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 16A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3’045785-1515-5-NDFr. 6.11000Ähnlich
IRF830APBFVishay Siliconix1’718IRF830APBF-NDFr. 3.07000Ähnlich
IRFBC30APBFVishay Siliconix732IRFBC30APBF-NDFr. 3.12000Ähnlich
R6024VNX3C16Rohm Semiconductor1’053846-R6024VNX3C16-NDFr. 5.06000Ähnlich
SIHP30N60E-E3Vishay Siliconix0742-SIHP30N60E-E3-NDFr. 2.57927Ähnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 5.78000Fr. 5.78
50Fr. 3.05200Fr. 152.60
100Fr. 2.78820Fr. 278.82
500Fr. 2.32630Fr. 1’163.15
1’000Fr. 2.17805Fr. 2’178.05
2’000Fr. 2.05349Fr. 4’106.98
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:Fr. 6.24818