
IPP60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP60R125CPXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R125CPXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R125CPXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1,1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2500 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 16A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3’045 | 785-1515-5-ND | Fr. 6.11000 | Ähnlich |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1’718 | IRF830APBF-ND | Fr. 3.07000 | Ähnlich |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | Fr. 3.12000 | Ähnlich |
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | 1’053 | 846-R6024VNX3C16-ND | Fr. 5.06000 | Ähnlich |
| SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP30N60E-E3-ND | Fr. 2.57927 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.78000 | Fr. 5.78 |
| 50 | Fr. 3.05200 | Fr. 152.60 |
| 100 | Fr. 2.78820 | Fr. 278.82 |
| 500 | Fr. 2.32630 | Fr. 1’163.15 |
| 1’000 | Fr. 2.17805 | Fr. 2’178.05 |
| 2’000 | Fr. 2.05349 | Fr. 4’106.98 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 5.78000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 6.24818 |

