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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

STP42N60M2-EP
STMicroelectronics
Vorrätig: 227
Stückpreis : Fr. 5.65000
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Ähnlich

AOT42S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 3’448
Stückpreis : Fr. 5.46000
Datenblatt

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IPP60R099C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 1’058
Stückpreis : Fr. 4.96000
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Ähnlich

IPP60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
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IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 2’703
Stückpreis : Fr. 4.95000
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Ähnlich

IPP60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 423
Stückpreis : Fr. 4.15000
Datenblatt

Ähnlich

IPP60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 2’578
Stückpreis : Fr. 4.61000
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Ähnlich

IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 878
Stückpreis : Fr. 3.58000
Datenblatt

Ähnlich

STP34N65M5
STMicroelectronics
Vorrätig: 235
Stückpreis : Fr. 3.64000
Datenblatt

Ähnlich

STP34NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 66
Stückpreis : Fr. 8.55000
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Ähnlich

STP34NM60ND
STMicroelectronics
Vorrätig: 773
Stückpreis : Fr. 5.22000
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STP38N65M5
STMicroelectronics
Vorrätig: 998
Stückpreis : Fr. 4.96000
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Ähnlich

TK25E60X5,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 98
Stückpreis : Fr. 4.88000
Datenblatt
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SIHP050N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP30N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHP30N60E-E3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHP30N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP30N60E-E3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2600 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP30
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