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N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R150CFDXKSA2

DigiKey-Teilenr.
448-IPP65R150CFDXKSA2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R150CFDXKSA2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP65R150CFDXKSA2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 900µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2340 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
195,3W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 9,3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCP190N60-GF102onsemi0FCP190N60-GF102-NDFr. 0.00000Direkter Ersatz
FCP16N60Nonsemi0FCP16N60N-NDFr. 0.00000Ähnlich
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500Fr. 1.36938Fr. 684.69
1’000Fr. 1.27431Fr. 1’274.31
2’000Fr. 1.19440Fr. 2’388.80
5’000Fr. 1.16188Fr. 5’809.40
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