SIHP24N65E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 5.36000
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 3’057
Stückpreis : Fr. 4.42000
Datenblatt

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onsemi
Vorrätig: 765
Stückpreis : Fr. 5.93000
Datenblatt

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onsemi
Vorrätig: 776
Stückpreis : Fr. 4.99000
Datenblatt

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onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 499
Stückpreis : Fr. 4.13000
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 257
Stückpreis : Fr. 4.57000
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 37
Stückpreis : Fr. 3.31000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 6.58000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 257
Stückpreis : Fr. 4.99000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 2.16100
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 5
Stückpreis : Fr. 4.91000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 900
Stückpreis : Fr. 4.34000
Datenblatt
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP24N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP24N65E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP24N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP24N65E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2740 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
145mOhm bei 12A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (22)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-NDFr. 5.36000Parametrisches Äquivalent
AOT27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3’057785-1252-5-NDFr. 4.42000Ähnlich
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-NDFr. 5.93000Ähnlich
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-NDFr. 4.99000Ähnlich
FCP22N60Nonsemi0FCP22N60N-NDFr. 0.00000Ähnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 5.36000Fr. 5.36
10Fr. 3.60100Fr. 36.01
100Fr. 2.60580Fr. 260.58
500Fr. 2.18180Fr. 1’090.90
1’000Fr. 2.04572Fr. 2’045.72
2’000Fr. 1.99619Fr. 3’992.38
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