IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IPP80N08S406AKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP80N08S406AKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP80N08S406AKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP80N08S406AKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4800 pF @ 25 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,8mOhm bei 80A, 10V	Basis-Produktnummer IPP80N08
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 90µA

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Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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