Name: IXFP180N10T2
Brand: IXYS
SKU: IXFP180N10T2-ND
Price: 5.75092 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFP180N10T2
DigiKey-Teilenr.	IXFP180N10T2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFP180N10T2
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 480W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, TrenchT2™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	180 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	480W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXFP180

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 5.32000	Fr. 5.32
50	Fr. 2.81520	Fr. 140.76
100	Fr. 2.74990	Fr. 274.99
500	Fr. 2.50130	Fr. 1’250.65

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