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IPP80R450P7XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPP80R450P7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP80R450P7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 73W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP80R450P7XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 220µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 770 pF @ 500 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 73W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 4,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | 571 | 448-IPA80R450P7XKSA1-ND | Fr. 2.19000 | Vom Hersteller empfohlen |
| IXFP8N65X2 | IXYS | 0 | IXFP8N65X2-ND | Fr. 1.72547 | Ähnlich |
| IXTP14N60P | IXYS | 177 | IXTP14N60P-ND | Fr. 5.23000 | Ähnlich |
| TK12E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK12E80WS1X-ND | Fr. 4.48000 | Ähnlich |











