IXFP8N65X2 steht für den Kauf zur Verfügung, befindet sich aber normalerweise nicht auf Lager.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

AOT7S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

FCP7N60
onsemi
Vorrätig: 790
Stückpreis : Fr. 32.41000
Datenblatt

Ähnlich

IPP60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IPP80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 8.19126
Datenblatt

Ähnlich

STP10N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 413
Stückpreis : Fr. 19.09000
Datenblatt

Ähnlich

STP10NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 1’989
Stückpreis : Fr. 36.10000
Datenblatt

Ähnlich

STP10NM60ND
STMicroelectronics
Vorrätig: 626
Stückpreis : Fr. 24.29000
Datenblatt

Ähnlich

STP11N60DM2
STMicroelectronics
Vorrätig: 348
Stückpreis : Fr. 22.59000
Datenblatt

Ähnlich

STP11N65M5
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 24.57000
Datenblatt

Ähnlich

STP11NM60FD
STMicroelectronics
Vorrätig: 740
Stückpreis : Fr. 57.55000
Datenblatt

Ähnlich

STP11NM60ND
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

STP12N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 22.87000
Datenblatt

Ähnlich

STP12N65M5
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 12.01019
Datenblatt
Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFP8N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXFP8N65X2-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFP8N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
790 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXFP8N65
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Bestellung verfügbar
Informationen zur Lieferzeit
Dieses Produkt ist bei DigiKey nicht vorrätig. Die angegebene Lieferzeit gilt für die Lieferung des Herstellers an DigiKey. Nach Erhalt des Produkts wird DigiKey die offenen Bestellungen erfüllen.
Menge
Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
300Fr. 1.44883Fr. 434.65
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 1.44883
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 1.56619