Name: IPT030N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT030N12N3GATMA1TR-ND
Price: 5.03746 CHF
Availability: InStock

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IPT030N12N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT030N12N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT030N12N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT030N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT030N12N3GATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 24A (Ta), 237A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT030N12N3GATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24A (Ta), 237A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	198 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13000 pF @ 60 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IPT030N

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 4.66000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 5.03746

IPT030N12N3GATMA1