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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Infineon Technologies
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STMicroelectronics
Vorrätig: 600
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PG-TO247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW60R120P7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPW60R120P7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW60R120P7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 26 A (Tc) 95W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW60R120P7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
120mOhm bei 8,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 410µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1544 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
95W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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