N-Kanal 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW65R019C7FKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPW65R019C7FKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW65R019C7FKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW65R019C7FKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 2,92mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
215 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9900 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
446W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
19mOhm bei 58,3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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30Fr. 10.48733Fr. 314.62
120Fr. 9.13075Fr. 1’095.69
510Fr. 8.81390Fr. 4’495.09
Standardverpackung des Herstellers
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