Name: IPW65R029CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R029CFD7XKSA1-ND
Price: 11.33969 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 69 A (Tc) 305W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW65R029CFD7XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPW65R029CFD7XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW65R029CFD7XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 69 A (Tc) 305W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW65R029CFD7XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,79mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 145 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7149 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 305W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 69 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 35,8A, 10V	Basis-Produktnummer IPW65R029

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