Name: IPW65R041CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R041CFD7XKSA1-ND
Price: 8.57233 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 50 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW65R041CFD7XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPW65R041CFD7XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW65R041CFD7XKSA1
Beschreibung	650V FET COOLMOS TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 50 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW65R041CFD7XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,24mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 102 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4975 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPW65R041
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41mOhm bei 24,8A, 10V

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30	Fr. 4.67167	Fr. 140.15
120	Fr. 3.95650	Fr. 474.78
510	Fr. 3.43261	Fr. 1’750.63
1’020	Fr. 3.35720	Fr. 3’424.34

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