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IPW65R150CFDFKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPW65R150CFDFKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPW65R150CFDFKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R150CFDFKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 900µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 86 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2340 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 195,3W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 150mOhm bei 9,3A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 210 | 448-IPW65R150CFDFKSA2-ND | Fr. 3.94000 | Parametrisches Äquivalent |
| IXFH36N60P | IXYS | 560 | IXFH36N60P-ND | Fr. 12.41000 | Ähnlich |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | Fr. 2.63926 | Ähnlich |
| STW26N60M2 | STMicroelectronics | 309 | STW26N60M2-ND | Fr. 3.44000 | Ähnlich |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | Fr. 3.36000 | Ähnlich |
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Obsolet
