
STW26N60M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | STW26N60M2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STW26N60M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 169W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STW26N60M2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 34 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1360 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 169W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 165mOhm bei 10A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | Fr. 5.82000 | Ähnlich |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | Fr. 8.30000 | Ähnlich |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | Fr. 5.65000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.44000 | Fr. 3.44 |
| 10 | Fr. 2.26600 | Fr. 22.66 |
| 100 | Fr. 1.59600 | Fr. 159.60 |
| 600 | Fr. 1.28425 | Fr. 770.55 |
| 1’200 | Fr. 1.19650 | Fr. 1’435.80 |
| 2’400 | Fr. 1.12275 | Fr. 2’694.60 |
| 5’400 | Fr. 1.10297 | Fr. 5’956.04 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.44000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.71864 |

