Name: IQE046N08LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5SCATMA1TR-ND
Price: 3.0268 CHF
Availability: InStock

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IQE046N08LM5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE046N08LM5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE046N08LM5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE046N08LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE046N08LM5SCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE046N08LM5SCATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,6A (Ta), 99A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 47µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3250 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	IQE046

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 2.80000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 3.02680

IQE046N08LM5SCATMA1