Name: IRF3415PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3415PBF-ND
Price: 2.49711 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 150 V 43 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF3415PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF3415PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF3415PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 43 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 200 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2400 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 43 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF3415
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 42mOhm bei 22A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.31000	Fr. 2.31
10	Fr. 1.49500	Fr. 14.95
100	Fr. 1.02840	Fr. 102.84
500	Fr. 0.82888	Fr. 414.44
1’000	Fr. 0.76476	Fr. 764.76
2’000	Fr. 0.71086	Fr. 1’421.72
5’000	Fr. 0.65257	Fr. 3’262.85
10’000	Fr. 0.64131	Fr. 6’413.10

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