
IRF5210PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF5210PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF5210PBF |
Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 100 V 40 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF5210PBF Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 60mOhm bei 24A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 180 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2700 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.54000 | Fr. 2.54 |
| 50 | Fr. 1.26000 | Fr. 63.00 |
| 100 | Fr. 1.14780 | Fr. 114.78 |
| 500 | Fr. 0.93094 | Fr. 465.47 |
| 1’000 | Fr. 0.86127 | Fr. 861.27 |
| 2’000 | Fr. 0.80270 | Fr. 1’605.40 |
| 5’000 | Fr. 0.79430 | Fr. 3’971.50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.54000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.74574 |










