P-Kanal 100 V 40 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRF5210PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF5210PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF5210PBF
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 100 V 40 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Herst.
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 24A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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500Fr. 0.97840Fr. 489.20
1’000Fr. 0.90517Fr. 905.17
2’000Fr. 0.84360Fr. 1’687.20
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