IRFB4710PBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 100 V 75 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB4710PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFB4710PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB4710PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 75 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
170 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6160 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
3,8W (Ta), 200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14mOhm bei 45A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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