Name: IRFP4227PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4227PBF-ND
Price: 3.9997 CHF
Availability: OutOfStock

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IRFP4227PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFP4227PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFP4227PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 65 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFP4227PBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	65 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 46A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IRFP4227

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