Name: IRLB4132PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLB4132PBF-ND
Price: 1.39449 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 30 V 78 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLB4132PBF
DigiKey-Teilenr.	IRLB4132PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLB4132PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 78 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLB4132PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,35V bei 100µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 54 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5110 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 78 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IRLB4132
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,5mOhm bei 40A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.29000	Fr. 1.29
10	Fr. 0.81400	Fr. 8.14
100	Fr. 0.54230	Fr. 54.23
500	Fr. 0.42582	Fr. 212.91
1’000	Fr. 0.38832	Fr. 388.32
2’000	Fr. 0.35677	Fr. 713.54
5’000	Fr. 0.32263	Fr. 1’613.15
10’000	Fr. 0.30154	Fr. 3’015.40

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