Name: IRLB8314PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRLB8314PBF-ND
Price: 1.31882 CHF
Availability: InStock

IRLB8314PBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRLB8314PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLB8314PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 171 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLB8314PBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	171 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 68A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5050 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRLB8314

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 1.22000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 1.31882

IRLB8314PBF