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STMicroelectronics
Vorrätig: 132
Stückpreis : Fr. 22.90000
Datenblatt
IXYK1x0xNxxxx
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IXDN75N120

DigiKey-Teilenr.
IXDN75N120-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXDN75N120
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 150A SOT-227B
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul NPT Einzeln 1200 V 150 A 660 W Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
IXYS
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
NPT
Konfiguration
Einzeln
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 A
Leistung - Max.
660 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,7V bei 15V, 75A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
4 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
5.5 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Nein
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Basis-Produktnummer
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10Fr. 25.10500Fr. 251.05
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