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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXFH18N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXFH18N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFH18N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 41 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 290W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1520 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 290W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 200mOhm bei 9A, 10V |
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Ersatzartikel (7)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | Fr. 5.82000 | Ähnlich |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | Fr. 8.30000 | Ähnlich |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 325 | 497-9066-5-ND | Fr. 6.50000 | Ähnlich |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | Fr. 3.36000 | Ähnlich |
| TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK16N60WS1VF-ND | Fr. 5.01000 | Ähnlich |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 300 | Fr. 3.61517 | Fr. 1’084.55 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.61517 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.90800 |
